金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN223007818U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的深阱，位于半导体衬底中；第一导电类型的浅阱，位于第二导电类型的深阱外侧的半导体衬底中；间隔设置的JFET源极区、漏极区以及LDMOS源极区；场氧化层、JFET多晶硅栅和LDMOS多晶硅栅，场氧化层位于所述第二导电类型的深阱中，JFET多晶硅栅和LDMOS多晶硅栅位于场氧化层上；第一导电类型的高压阱，其包括第一部分和第二部分，第一部分位于JFET源极区与漏极区之间的第二导电类型的深阱中，第二部分位于漏极区与LDMOS多晶硅栅之间的第二导电类型的深阱中，且第二部分为多边形矩阵分布。本实用新型提供的半导体器件可以同时满足LDMOS和JFET的性能需求。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目626次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1175条，此外企业还拥有行政许可17个。
来源：金融界
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